场效应器件（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子元件，它的工作原理基于控制半导体中载流子密度的能力，由G、D、S三个端口组成。通过外加控制电压Vg，改变与源极之间的反型耗尽层宽度，从而调控源漏电流，实现对电路信号的放大、开关、调制处理等功能。

场效应器件有两种常见类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和JFET（结型场效应晶体管）。不同类型的器件具有不同的工作原理，MOSFET的反型耗尽层由金属氧化物形成，而JFET的反型耗尽层由PN结形成。

以N沟道MOSFET为例，当外加控制电压（门极电压）为零时，场效应晶体管的电路处于关闭状态，即漏极和源极之间的电流非常小。此时门极和沟道之间存在一定的电容，门极和沟道构成一个等效电容的电路，存在开路电压。当外加控制电压增加，增强了栅极域沟道之间的电场，使得反型耗尽层变窄，此时源漏通道变窄，电阻增大，电流减小，开关迅速切换。当外加控制电压达到一定值时，沟道中的载流子被排斥出去，此时极限漏电流就由器件本身电阻值来决定了。

总之，场效应晶体管就是通过改变材料中载流子密度来实现电流控制的器件。因其操控简单、放大迅速、转换效率高等优点，在电子电路设计和通信系统中有着广泛的应用。

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